Catalogue en ligne - Composants électroniques. Page 525 sur 1235. Avtronic

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Transistor STP3NB80

Transistor STP3NB80 N-MOS 800V 2.6A 90W <6.5R(1.3A. V-MOS. MOS-N-FET. Constructeur: ST. Tension de Drain maxi: 800 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 2.6 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 1.3 A. Rds (Ohms): 6.5. Puissance: 90 W

Transistor STP3NC90ZFP

Transistor STP3NC90ZFP N-MOS 900V 3.5A* 35W<3.2R(2.2A*). PowerMESH III. MOSFET. Zéner-Protected. Constructeur: ST. Boîtier: TO-220FP. Tension de Drain maxi: 900 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 3.5 A

Transistor STP3NK60ZFP

Transistor STP3NK60ZFP N-MOS+Z 600V 2.4A/9.6Ap. 20W 3.3R(1.51A). SuperMESH Power MOSFET. Zéner-Protected. Constructeur: ST. Boîtier: TO-220FP. Tension de Drain maxi: 600 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 2.4 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 1.51 A.

Transistor STP3NK90ZFP

Transistor STP3NK90ZFP N-MOS+Z 900V 3A/12Ap. 25W 4.1R(1.89A). SuperMESH Power MOSFET. Zéner-Protected. Constructeur: ST. Boîtier: TO-220FP. Tension de Drain maxi: 900 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 3 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 1.89 A.

Transistor STP4NB80

Transistor STP4NB80 N-MOS 800V 4A 100W <3.3R(2A). V-MOS. MOS-N-FET. Constructeur: ST. Tension de Drain maxi: 800 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 4 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 2 A. Rds (Ohms): 3.3. Puissance: 100 W

Transistor MOSFET canal-N STP4NB80FP

Transistor MOSFET canal-N 800V 4A/16A 35W. Résistance passante RDSon : 3.3 Ohms (2.4A)

Transistor STP4NK60Z

Transistor MOSFET canal N (N-MOSFET)+Z 600V 4A. Boîtier: TO-220. Vds(max): 600V. Id(@25ºC): 4A. Puissance: 70W. Résistance Rds: 1.76 Ohms. SuperMESH. Zéner-Protected.

Transistor STP4NK60ZFP

Transistor MOSFET canal N (N-MOSFET)+Z 600V 4A. Boîtier: TO-220FP isolé. Vds(max): 600V. Id(@25ºC): 4A. SuperMESH. Zéner-Protected.

Transistor STP4NK80ZFP

Transistor STP4NK80ZFP N-MOS+Z 800V 3A 25W<3R(1.89A). SuperMESH. Zéner-Protected. Power MOSFET. Constructeur: ST. Boîtier: TO-220FP. Tension de Drain maxi: 800 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 3 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 1.89 A. Rds (Ohms): 3.

Transistor STP55NE06

Transistor MOSFET canal N (N-MOSFET) 60V 55A/220Ap. 130W 0.019R(39A). Boîtier: TO-220. Vds(max): 60V. Id(@25ºC): 55A. Puissance: 130W. Id(T=100): 39A. Id(imp): 220 Ap. Résistance Rds: 0.019. Technologie: SINGLE FEATURE SIZE Power MOSFET. Fréquence de l´horlogenction: Fast switch. td(on): 30nS.

Transistor STP55NF06

Transistor MOSFET canal N (N-MOSFET) 60V 50A. Référence d'origine constructeur: STP55NF06. Marquage boîtier: P55NF06. Boîtier: TO-220. Vds(max): 60V. Id(@25ºC): 50A. Puissance: 110W. Résistance Rds: 0.015 Ohms. STripFET II Power MOSFET.

Transistor STP55NF06L

Transistor STP55NF06L N-MOS 60V 55A/220Ap. 95W 0.016R(39A). STripFETII Power MOSFET. Fast switch. td(on): 20nS. td(off): 40nS. Constructeur: ST. Boîtier: TO-220. Tension de Drain maxi: 60 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 55 A.

Transistor STP5NK60ZFP

Transistor STP5NK60ZFP N-MOS+Z 600V 5A/20Ap. 25W 1.2R(3.1A). SuperMESH Power MOSFET. Zéner-Protected. Power MOSFET. Constructeur: ST. Boîtier: TO-220FP. Tension de Drain maxi: 600 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 5 A. Rds (Ohms): 1.2.

Transistor STP5NK80Z

Transistor MOSFET canal N (N-MOSFET)+Z 800V 4.3A. Boîtier: TO-220. Vds(max): 800V. Id(@25ºC): 4.3A. Puissance: 110W. Résistance Rds: 1.9 Ohms. SuperMESH Power MOSFET. Zéner-Protected.

Transistor STP5NK80ZFP

Transistor MOSFET canal N (N-MOSFET)+Z 800V 4.3A. Boîtier: TO-220FP. Vds(max): 800V. Id(@25ºC): 4.3A. Puissance: 30W. Résistance Rds: 1.9 Ohms. SuperMESH Power MOSFET. Zéner-Protected.

Transistor STP60NF06

Transistor STP60NF06 N-MOS 60V 60A 110W 0.014R(42A). STripFETII POWER MOSFET. Ultra Low ON-Resistance. td(on):16nS. td(off):43nS (30A). Constructeur: ST. Boîtier: TO-220AB. VGS(th) 2...4V. Tension de Drain maxi: 60 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 60 A.

Transistor STP60NF06L

Transistor STP60NF06L N-MOS 60V 60A 110W 0.014R(42A). STripFETII POWER MOSFET. td(on):35nS. td(off):55nS (30A). Constructeur: ST. Boîtier: TO-220 LowGataCharg. VGS(th) 1...2.5V. Tension de Drain maxi: 60 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 60 A.

Transistor STP62NS04Z

Transistor MOSFET canal N (N-MOSFET) 62A. Marquage boîtier: P62NS04Z. Boîtier: TO-220. Id(@25ºC): 62A. Puissance: 110W. Résistance Rds: 12.5 milliOhms. MESH OVERLAY Power MOSFET.

Transistor STP65NF06

Transistor STP65NF06 N-MOS 60V 60A/240Ap. 110W 0.0115R(42A). STripFETII Power MOSFET. Fast switch. Constructeur: ST. Boîtier: TO-220. Tension de Drain maxi: 60 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 60 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 42 A. Rds (Ohms): 0.011

Transistor STP6NK60Z

Transistor MOSFET canal N (N-MOSFET)+Z 600V 6A. Boîtier: TO-220. Vds(max): 600V. Id(@25ºC): 6A. Puissance: 104W. Résistance Rds: 1.2 Ohms. SuperMESH Power MOSFET. Zéner-Protected.

Transistor STP6NK60ZFP

Transistor STP6NK60ZFP N-MOS+Z 600V 6A/24Ap. 32W 1R(3.8A). SuperMESH Power MOSFET. Zéner-Protected. Power MOSFET. Constructeur: ST. Boîtier: TO-220FP. Tension de Drain maxi: 600 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 6 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 3.8 A.

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